硅基Ge1-xSnx薄膜的溅射外延生长及材料性能研究

摘要

本文报道采用溅射外延法在硅基衬底上成功生长锗锡二元合金薄膜.通过HR-XRD,高分辨透射电子显微镜,卢瑟福背散射谱等对材料的晶体结构进行了详细的表征.研究结果表明,溅射外延法可以制备高质量的锗锡单晶材料.用溅射外延生长锗锡薄膜为有源层,制备了锗锡PIN光电探测器,器件的性能与文献报道的采用MBE或CVD法制备器件性能相当.以上这些实验结果表明溅射外延可以实现低成本、高质量的锗锡材料制备,并有效拓展其在硅基短波红外甚至中红外的应用范围.