高频大电流电抗器近场损耗分析

摘要

高频大电流电抗器要求磁路能够承受较大安匝电流而不饱和,在结构设计上往往需采用开放的空间磁路,这会对周围元件造成电磁耦合,带来额外的近场损耗和引发局部高温问题.论文详细分析了高频大电流电抗器的磁场分布特征,讨论近场磁场对周围金属支撑件带来的高频附加损耗影响,结合实际工程应用案例,进行理论分析与建模仿真,得出改善方案.