片上FLASH的可靠性设计技术

摘要

针对航天应用领域,SEU(Single-Event-Upset)效应极易影响片上FLASH存储系统,使存储内容发生变化,特别是工艺尺寸的缩小,使得决定状态的电荷量随之变小,FLASH存储单元对电源波动、工艺偏差等外界环境更为敏感,因此,本文提出了一种FLASH存储器的ECC容错设计结构,提高了片上FLASH存储器容忍软错误的能力.另外,针对高密度集成,工艺制造等的缺陷导致FLASH坏块的情况,从硬件层面上,提出了一种针对片上FLASH存储器的坏块地址重映射设计技术,有效地提高了片上FLASH存储器的可靠性.