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魏永钦;
硅;
机译:利用蒸发技术制备铅的自支撑靶(〜(206,208)Pb)
机译:自支撑同位素 13 sup> C靶的制备
机译:使用蒸发技术制备薄的自支撑铂靶
机译:低温高密度等离子体化学气相沉积锗制备锗硅分离吸收和倍增雪崩光电探测器
机译:用于毫米波应用的硅锗虚拟衬底生长和硅(1-y)锗(y)/硅(1-x)锗(x)/硅(1-y)锗(y)HBT。
机译:硅和锗对硅和锗的肖特基势垒高度的面依赖性
机译:锗在锗注入制备的siGe异质结双极晶体管多晶硅发射极中的扩散
机译:纤维素膜中阳离子吸附和热分解制备自支撑氧化物靶
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
机译:制备半硅锗富集硅的方法,以及通过该方法获得的半硅锗富集。
机译:在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
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