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杨志懋;
铜合金;
机译:Cu和Cu-Cr电极真空间隙中电极表面粗糙度与脉冲击穿电压的关系
机译:真空间隙上200 kV 100 ns脉冲的作用下预击穿发射中心的行为
机译:在短脉冲测试下观察击穿前的发射点和真空间隙的破坏
机译:延迟击穿状态下真空间隙电极的处理
机译:脉冲功率衬套的同轴真空间隙击穿
机译:Al-Cu-Li合金点蚀的研究第二部分:击穿电位和基坑引发
机译:开关脉冲激励下真空间隙中的预击穿传导
机译:用尖头电极真空击穿亚微米间隙。
机译:Cu In Ga合金粉末的生产方法,Cu In Ga Se合金粉末的生产方法和Cu In Ga Se合金烧结体,Cu In Ga合金粉末和Cu In Ga Se合金粉末的生产方法
机译:Cu-Mn Cu-Mn Cu-Mn Cu-Mn合金膜和Cu-Mn合金溅射靶材及Cu-Mn合金膜的成膜方法
机译:基于Cu-Ni-Si的铜合金板,镀薄的Cu-Ni-Si-Si基铜合金板,以及Cu-Ni-Si基铜合金板的制备方法和薄膜镀铜Cu-Ni-Si基 铜合金板
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