表面抛光方式对微秒脉冲长间隙真空击穿场强影响

摘要

本文介绍了几种金属电极表面抛光处理方式,对比了几种方式的抛光效果,并研究了它们对30微秒脉冲下u0001110mm的平板电极真空长间隙击穿场强的影响.研究表明:车床机械抛光方法对提高TC4平板电极间2.5cm真空间隙击穿场强效果最差,宏观平均首次击穿场强Eb0约200kV/cm,而镜面抛光方法和化学抛光腐蚀方法可将Eb0从200kV/cm分别平均提高35.2％、37.5％.镜面抛光方法、化学抛光腐蚀方法可将表面粗糙度Rz从3μm分别降低到0.35μm、1.5μm水平,抛光处理后阴极表面的微凸场增强并不足以导致阴极出现自持的放电电流发射;化学腐蚀处理后表面更粗糙,但对Eb0提高更明显,推断表面粗糙度和微凸场增强极可能不是影响真空间隙击穿的最主要因素.