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张幕义; 张玉清;
中国电子学会;
单片电路; 微波集成电路; 砷化镓; 设计;
机译:蓝宝石衬底上GaN中的发光功率集成电路的发光二极管和功率金属氧化物半导体沟道高电子迁移率晶体管的单片集成
机译:具有单片集成E / D HEMT的控制电路的高功率,宽带5b GaN相移器
机译:8mm GaAs功率单片集成电路
机译:基于FinFET的SRAM和单片3-D集成电路设计
机译:短种植体(8mm)与较长种植体(≥8mm)以及后萎缩性上颌骨外侧窦底隆起:对人类RCT的荟萃分析
机译:使用具有相位控制架构的子谐振器电路的Ka波段高功率单片HEMT VCO
机译:单片微波集成电路(mmIC)宽带功率放大器(第2部分)。
机译:功率放大器具有一个由单片集成的单片极构成的低频电路,该电路用于确定增益和抑制扇区
机译:对于源于单片集成电路中电源电压的负脉冲的寄生效应,该集成电路包括功率单元的控制单元和该功率单元的驱动感应负载
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