高温工作垂直腔面发射激光器研究

摘要

VCSEL作为一种特殊的半导体激光器，其反射镜主要由上下两组A1xGaAs/AIyGaAs材料的布拉格反射器((DBR)构成，增益介质则由夹在DBR中间的半导体量子阱有源区构成，三者构成了电流注入发光的P-I-N结构。干法刻蚀形成的台面直径尺寸22-26μm，高度5μm左右。通过专用的湿法侧氧化工艺工艺，可以将有源区电流注入区域直径限制在1-5μm，从而大幅降低器件阐值电流和功耗。同时，采用新型有源区材料结构和增益-腔模失配方法设计并实现了高温工作795nmVCSEL器件，器件108℃下闽值电流仅为0.6mA，在1mA注入下获得钩原子对应的794.7nm输出。