X射线光刻制备减反射结构研究

摘要

本论文基于x射线光刻技术，在硅基板上制备PMMA减反射结构。采用在硅基板与PMMA光刻胶之间，增加一层粘结剂的方法，可以防止显影后的微结构的倒伏或粘连。用SEM观察得出制备的微结构的周期为300nm，高度为300纳米左右的PMMA亚波长结构。此结构可作为减反射结构，用于太阳能电池中。这种方法的最大优点是工艺可靠，可大面积制备，制成金属模具后可实现大规模的亚微米压印.对于亚微来减反射赤向实用具有重要意义。