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姚淑德;
金属氮化物薄膜;
机译:半绝缘GaN外延层上通过分子束外延生长和表征AIGaN / GaN异质结构
机译:在独立的HVPE氮化镓上通过分子束外延生长GaN和AlGaN / GaN异质结构的同质外延,用于电子设备应用
机译:Aln / Al异质结构和核成核机理上的质量增强裂缝GaN薄膜的设计和外延生长
机译:等离子体辅助分子束外延生长非极性GaN(1100)薄膜和异质结构
机译:脉冲激光沉积生长的外延YBa2Cu3O7-8薄膜和YBa2Cu3O7-8 / PrBa2Cu3O7-8异质结构的超导性能
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:利用异质外延AlGaN ∕ GaN裂纹进行GaN的原位外延外延
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:用于二元和三元合金或固溶体形成羟基接触的薄膜电极,用于形成高质量的基于GaN的光学器件的P型热薄膜,并提供了一种使镁-碳键合断裂的方法和增加断裂的方法周围的GaN表面
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:放射状的矩阵异质外延结构[放射状的矩阵异质外延结构
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