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SOI硅高温压力传感器的研制

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该文用带SiO<,2>夹层的硅硅键合技术获得SOI材料的方法制作出了SOI硅高温压力传感器。

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来源
《中国电子学会'98敏感技术学术年会》|1998年|155-157|共3页
会议地点成都
作者
张轩雄;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TH823.2;
关键词
压力传感器;
入库时间 2022-08-17 10:38:00

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