Lift-off工艺制备压电薄膜加速度传感器电极的研究

摘要

研究Lift-off工艺制备金属电极,以避免用化学试剂湿法腐蚀对图形轮廓及下层压电材料造成损坏.对比AZ1500正性光刻胶和AZ5214反转光刻胶,表明AZ5214经过适当的工艺可形成倒梯形光刻胶侧壁,即光刻胶侧壁图形上宽下窄,使淀积的金属在光刻胶掩膜和裸露的硅片衔接区域断开,有利于Lift-off工艺的进行,并减少图形边缘毛刺.

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