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杨巧勤;
中国金属学会中国机械工程学会;
碳;
机译:热丝化学气相沉积沉积纳米晶金刚石薄膜的生长动力学:低粘着和成核过程的影响
机译:钴和钴氧化物缓冲层对硅上热丝化学气相沉积金刚石薄膜成核和生长的影响(100)
机译:低压金属化学气相沉积(MOCVD)作为前体的低压金属化学气相沉积(MOCVD)生长氧化铒和氧化钆高k介电薄膜的对比研究
机译:化学气相沉积金刚石薄膜的成核和生长。
机译:二硒化钛薄膜的区域选择性生长低压化学气相沉积成微图案化基材的薄膜沉积
机译:CoSi2(001)和Si(001)上化学气相沉积金刚石薄膜成核和生长特性的比较研究
机译:金刚石薄膜上碳纳米管生长的三种不同化学气相沉积(CVD)技术的比较研究。
机译:微波等离子体辅助化学气相沉积沉积的化学气相沉积在高温下的高温等离子体生长高同质金刚石薄膜沉积
机译:通过等离子体增强化学气相沉积在衬底上生长金刚石薄膜的方法
机译:通过消除硅气相成核并抑制寄生沉积来生长高质量,厚质SiC外延膜的方法
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