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中国电子学会;
机译:Si和Si:Ge合金的UHV / CVD生长:化学,物理和器件应用
机译:Si_(1-x)C_x合金外延UHV-CVD生长过程中弛豫行为的研究
机译:通过UHV-CVD在Si上生长的Ge_(1-x)Sn_x合金(x <0.2)的光学常数和带间跃迁
机译:使用硅烷和锗烷的Si(100)上的Si_1-Xge_x合金的UHV-CVD杂交生长
机译:用于光电子应用的外延Si-Ge-Sn合金的RPCVD生长
机译:Si(001)表面上CMOS兼容的Ge量子点的致密阵列:UHV MBE生长过程中的簇簇成核原子结构和阵列寿命
机译:在块状单晶SiGe和Si衬底上的UHV / CVD SiGe外延层的生长和表征
机译:mOCVD在sI 4H-siC上生长的调制掺杂alxGa1-xN / GaN结构中二维电子气的光致发光研究
机译:Si 1-XY Sub> GE X Sub> C Y Sub>和Si 1-Y Sub> C 的外延和多晶生长通过UHV-CVD在Si上形成Y Sub>合金层
机译:利用UHV-CVD法在SI上形成Si1-X-Yygycy和Si1-Ycy合金层的表观和多晶生长
机译:Si 1-xy Sub> Ge x Sub> C y Sub>和Si 1-y Sub> C 的外延和多晶生长UHV-CVD在Si上形成y Sub>合金层
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