缺陷在TiNi可逆记忆效应中作用的正电子研究

摘要

测量了若干具有可逆形状记忆效应的Ti-51.0at.℅Ni试样的正电子湮没多普勒展谱线形参数。分析表明：凡可逆形状记忆效应好的试样都含有结构缺陷。但是，并不是所有包含结构缺陷（或结构不均匀性）的试样都能给出好的可逆形状记忆效应；要获得好的可塑料形状记忆效应，试样中的结构缺陷在密度上必须适量，数量太多或太少都不能产生好的记忆性能。在结构缺陷和结构缺陷的密度适量对TiNi合金获得好的记忆效应是同等重要的。