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王晓光; 常勇; 桂永胜; 褚君浩; 陈建新; 李爱珍;
中国物理学会;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
MBE In,1-xGa,xAs,yP,1-y薄膜; 红外光致发光;
机译:应变层In / sub x / Ga / sub 1-x / As / GaAs和In / sub x / Ga / sub 1-x / As / In / sub y / Ga / sub 1-y / P多量子阱气源MBE生长的光学调制器
机译:量子阱中带有应力INAS和GAAS NANO插入物的混合掺杂结构IN_XAL_(1-X)AS / IN_YGA_(1-Y)AS / IN_XAL_(1-X)AS的光致发光性质
机译:光致发光性质调制掺杂结构IN_XAL_(1-X)AS / IN_YGA_(1-Y)AS / IN_XAL_(1-X)作为具有电压NANOVSTAVKAMI INAS GaAs和在QW
机译:应变层In / sub x / Ga / sub 1-x / As / GaAs和In / sub x / Ga / sub 1-x / As / In / sub y / Ga / sub 1-y / P多量子阱光学调制器由气源MBE种植
机译:基于Ga(x)In(1-x)As(y)P(1-y)的n型长波长量子阱红外光电探测器:生长,表征和制造。
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:GaAs 1-x sub> Bi x sub> / GaN y sub> As 1-y sub> II型量子阱:新应变- GaAs基近红外和中红外光子学的平衡异质结构
机译:InxGa(1-x)as / alyGa(1-y)作为应变层结构的光致发光研究。退火的影响。
机译:抛光浆料,Ga x Sub> In 1-x Sub> As y Sub> P 1-y Sub>晶体的表面处理方法和Ga x Sub> In 1-x Sub> As y Sub> P 1-y Sub>晶体衬底
机译:ALXGA(1-X)AS基体,红外LED的外延晶片,红外LED,生产ALXGA(1-X)AS基体,红外LED的外延晶片的生产方法以及红外LED的生产方法
机译:作为基材的AlxGa(1-x),用于红外LED的表皮晶片,红外LED,作为基材的AlxGa(1-x)的生产方法,用于红外LED的表皮晶片的生产方法以及用于生产红外LED的方法
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