中子脉冲作用下双极器件的损坏及模拟研究

摘要

快中子脉冲辐射将在双极器件中导入Frankel缺陷，这严重地降低了双极IC的性能，但这些缺陷的一部分能很快自动消除，从而又使器件性能部分恢复，这主要表现为器件的β陡然降低，然后再呈指数形缓慢回升，最后达到一稳定降低点。