Yb<,2>O<,3>掺杂的BaTiO<,3>陶瓷的PTCR特性

摘要

曾有报道认为离子半径较小的Yb<'3+>离子，在BaTiO<,3>中主要取代Ti位而表观为受主杂质，从而不能使BaTiO<,3>材料在空气中半导体。该文研究了Yb<,2>O<,3>的掺杂行为，表明它同其它稀土杂质一样，可以使空气中烧成的BaTiO<,3>陶瓷半导化。在纯施主掺杂的BaTiO<,3>半导化陶瓷中，材料的升阻比随施主掺杂量的增加而降低，这是由于晶界上中性钡缺位浓度随施主掺杂量的增加而降低造成的。