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稳定优质氢化非晶硅薄膜的研制

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摘要

本文在采用“化学退火”方法制备优质稳定的a-Si:H的基础上,发展了一种“不间断生长/退火”技术,在沉积过程中,用大量原子态的氢不间断地对生长表面进行所谓“化学退火”处理,并掺入微量的硼进行补偿,以控制费米能级的位置,显著改善了材料的光电性质和稳定性,同时也增大了生长速率.

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来源
《中国第六届光伏会议》|2000年|84-85|共2页
会议地点昆明
作者
刁宏伟; 张世斌; 王永谦; 廖显伯; 孔光临;
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作者单位

中国太阳能学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类非晶态半导体;
关键词
氢化非晶硅; 非晶硅薄膜; 薄膜沉积; 光致变化效应;

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