掺杂对V<,2>O<,3>系PTC材料电子结构的影响

摘要

采用自洽场离散变分X<,α>(SCC-DV-X<,α>)方法,研究纯V<,2>O<,3>理想晶体及掺杂Cr元素体系的电荷分布、态密度和能级结构，讨论了掺杂对电子结构与性能的影响。结果表明：纯V<,2>O<,3>理想晶体具有金属相性质，掺杂Cr后晶体结构不变，电子结构发生了变化，材料具有了半导体的性质，这与实验结果相一致。