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大面积PIN光电二极管在高低温退火前后暗电流的变化

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制造在兰紫光波段内高量子效率的PIN光电二极管,浅结是必要的.为了达到线结,硼离子注入后,使用了1000℃、30s的高温快速热退火.对具体芯片的暗电流跟踪测试表明,硼离子注入后,只使用高温快速热退火工艺,芯片的暗电流达不到要求,而在随后的600℃、1h的慢退后火,芯片的暗电流明显降低.实验表明,在制造兰紫光波段高量子效率PIN光电二极管工艺中,低温退火也是必不可少的.

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来源
《第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会》|2001年|116-117|共2页
会议地点成都
作者
田大宇; 王兆江; 王玮; 张维; 张录;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类二极管：按工艺分;掺杂;
关键词
PIN光电二极管; 离子注入; 高温快速退火; 暗电流;

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