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曾庆明; 徐晓春; 李献杰; 敖金平; 王全树; 郭建魁; 刘伟吉; 揭俊锋;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
触发器; 静态分频器; 器件制造; AlGaAs/GaAs;
机译:30 GHz静态分频器,采用0.2 / spl mu / m AlGaAs / GaAs / AlGaAs HEMT技术
机译:采用量子阱AlGaAs / GaAs / AlGaAs FET技术的14 GHz低功耗高灵敏度静态分频器
机译:由单个D型触发器构成的AlGaAs / GaAs HBT动态分频器
机译:采用n + sup> -Ge栅极AlGaAs / GaAs MISFET的高速静态分频器
机译:半填充AlGaAs / GaAs二维电子系统中的量子输运
机译:GaAs / AlGaAs半导体接口处的远程高速电子自旋传输
机译:具有优化设计的吸收层的,基于GaAs-AlGaAs的高速GaAs-AlGaAs组合式载流子光电二极管在830 nm波长处的带宽增强现象
机译:alGaas / Gaas / alGaas和alGaas / InGaas / alGaas热电子晶体管的瞬态模拟
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
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