MEMS封装用氮化铝共烧基板研究

摘要

研究了MEMS封装用A1N共烧基板中,浆料对基板平整度和电性能的影响.共烧基板浆料以W为导电材料,SiO<,2>为添加剂配制而成,结果表明SiO<,2>的质量分数在0.45﹪时,A1N多层布线共烧基板的导带方阻达到10mΩ/□基板的翘曲度小于50μm/50mm.