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FLASHROM芯片高能中子单粒子效应研究

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近年来高能中子(14MeV)对计算机存储器芯片的单粒子效应引起了广泛的注意.本文简要报告了FLASHROM存储器芯片的高能中子单粒子效应试验方法和结果.

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来源
《第11届全国核电子学与核探测技术学术年会》|2002年|456-459|共4页
会议地点厦门
作者
杨怀民; 范思安; 胡尚斌; 王学智; 李健;
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作者单位

中国核学会;

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类存贮器;
关键词
高能中子; 单粒子效应; 存储器;

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