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碳化硅电子器件的基础问题

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SiC材料可以制作高频高温高压大电流大功率抗辐射的器件,成为第三代最具代表性的半导体材料之一,本文综述了碳化硅电子材料与器件近些年来国内外的发展和它的基础问题.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|217-224|共8页
会议地点厦门
作者
李效白;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体光电器件;
关键词
碳化硅; 半导体材料; 电子器件;
入库时间 2022-08-17 10:16:14

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