首页> 中文会议>中国第七届光伏会议 >热壁外延生长GaAs/导电玻璃薄膜

热壁外延生长GaAs/导电玻璃薄膜

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件;源温为900~930℃,衬底温度为500℃.

著录项

来源
《中国第七届光伏会议》|2002年|16-20|共5页
会议地点杭州
作者
涂洁磊; 陈庭金; 章晨静; 吴长树; 施兆顺;
展开▼
作者单位

中国太阳能学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.055;TM914.42;
关键词
GaAs/导电玻璃; 太阳电池; 薄膜材料; CaAs薄膜; 热壁外延生长; 薄膜制备;
入库时间 2022-08-17 10:15:59

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 利用热壁外延（HWE）在导电玻璃上生长GaAs薄膜的意义 [J] . 章晨静 ,涂洁磊 ,陈庭金 . 中国建设动态：阳光能源 . 2003,第06M期
2. 拉曼-光荧光光谱热壁外延生长GaAs/Si薄膜晶体质量研究 [J] . 谭红琳 ,张鹏翔 ,刘翔 . 光谱学与光谱分析 . 2001,第004期
3. 热壁外延生长GaAs/Si薄膜质量研究 [J] . 谭红琳 ,张鹏翔 ,刘翔 . 光电子．激光 . 2001,第3期
4. GaAs（100）衬底上热壁外延生长的ZnSe薄膜光... [J] . 劳浦东 ,姚文华 . 半导体学报 . 1991,第007期
5. ZnS／GaAs（100）的热壁外延生长 [J] . 义仡 . 电子材料快报 . 1999,第005期
6. 导电玻璃衬底上的GaAs薄膜太阳电池设计 [C] . 涂洁磊 ,陈庭金 . 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 . 2004
7. ZnSe薄膜化学反应助热壁外延生长及性能表征 [A] . 白大伟 . 2007

热壁外延生长GaAs/导电玻璃薄膜

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅