等离子放电烧结法制备碳化硅陶瓷

摘要

介绍以超细碳化硅为原料,以铝粉为助烧剂,采用等离子放电烧结法制备碳化硅,并研究了铝含量和对碳化硅陶瓷的力学性能和显微结构的影响.采用等离子放电烧结法,通过快速升温,并加以45MPa左右的压力,可以在较短时间内和较低温度下得到细晶粒的致密碳化硅.适量铝粉的加入可以显著降低碳化硅烧结的初始温度,促进碳化硅的致密化.力学性能测试表明,随铝含量的增加,碳化硅性能改善,当铝含量超过3%时,碳化硅性能又随之下降.含铝3%(质量分数)的碳化硅样品相对密度达99%,抗弯强度达670MPa.