极紫外多层膜残余应力初步研究

摘要

针对极紫外多层膜在激光等离子体诊断、极紫外光刻等方面的应用,进行了Mo/Si多层膜残余应力的实验研究,讨论了多层膜残余应力的成因.实验结果表明:Mo单层膜表现为张应力,Si单层膜表现为压应力;通过传统方法制备的13.0nm处高反射率的40对Mo/Si多层膜会产生-500Mpa左右的压应力,其压应力主要是由膜层之间的贯穿扩散引起的;通过改变膜层比率可以在一定程度上补偿因贯穿扩散产生的压应力,但是以牺牲多层膜反射率为代价.