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GaN紫外探测器的Ti/Al接触界面的电学特性研究

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摘要

本文利用伏安特性和传输线模型研究了不同退火条件下GaN紫外探测器的Ti/GaN接触的电学特性,利用热电子发射理论研究了反偏Ti/GaN界面的肖特基势垒,结果表明肖特基势垒高度和比接触电阻随退火温度的升高而下降,600℃退火形成的欧姆接触是变低的势垒高度和隧穿电流机制共同作用的结果.

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来源
《2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会》|2003年|176-179|共4页
会议地点武汉
作者
李雪; 亢勇; 陈江峰; 靳秀芳; 朱龙源; 李向阳; 龚海梅; 方家熊;
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作者单位

中国宇航学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;O434.212;
关键词
传输线模型; 肖特基势垒高度; 比接触电阻; 隧穿电流; GaN紫外探测器;

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