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中国半导体行业协会;
中国集成电路杂志社;
集成电路; 芯片制造; 注氧工艺; 粒子污染;
机译:氢注入对SIMOX SOI材料的影响
机译:高温氧注入形成SIMOX-SOI结构
机译:在SIMOX和BESOI衬底上制造的薄膜SOI n-MOSFET在高漏极应力下的热载流子注入(HCI)免疫力
机译:低剂量低能耗SIMOX材料的结构和电气特性。
机译:Ni-Cr纳米粒子氧化过程中空位注入和化学分配的原位TEM可视化
机译:多次注入获得的SIMOX材料的红外反射光谱分析
机译:ZmR(区域熔化 - 再结晶)和sImOX(氧注入)sOI(绝缘体上硅)mOsFET中的栅极氧化物泄漏和电荷俘获的研究
机译:通过氧注入分离(simox)制造绝缘层掩埋硅(soI)衬底的方法
机译:用于在SIMOX注入过程中控制晶片的温度和均匀性的系统和方法
机译:确定SIMOX晶圆氧注入过程中使用的衬底温度
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