ASIC输出驱动器失效模式的验证及其机理分析

摘要

本文以为某型号整机设计的ASIC输出驱动器CMOS单片集成电路为例,分析近年来在工程应用上的失效数据,进行了较深入的失效分析.文章阐述了栅穿失效模式的验证方法以及栅穿失效的作用机理;指出了输出驱动器的漏源最大击穿电压不能满足使用单位设计指标的要求等问题.认为栅氧化层薄,栅漏耐压失效是栅穿失效的直接原因.本文对提高漏源击穿电压和克服栅穿失效问题,从制作工艺和改进版图设计方面提出了一些技术途径.