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ZnO薄膜的Sol-gel制备及退火温度对结构的影响

摘要

本文采用sol-gel旋涂法在抛光硅<111>晶面生长了高茺C轴取向的ZnO薄膜.DSC以及XRD数据显示此溶胶系统的最佳退火温度为450℃左右,更高的退火温度将对薄膜的择优取向产生不利的影响.SEM及AFM显示薄膜表面致密、均匀、光滑,组成薄膜的颗粒尺寸在50~100nm,并显示出良好的C轴择优取向.

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