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陈亚军; 康琳; 蔡卫星; 施建荣; 赵少奇; 吉争鸣; 吴培亨;
中国电子学会;
氮化铌薄膜; 氧化镁基片; 直流溅射法; 单晶结构; 氮化铝薄膜;
机译:MgO(001)上NbN / AlN / NbN结和MgO(111)衬底上的AlN / NbN双层的制备和表征
机译:MgO衬底上NbN,AlN和NbN / AlN / NbN的制备与表征
机译:反应磁控溅射沉积在MgO(111)上的Ti_2AlN薄膜的形核和生长
机译:RF氮等离子体辅助MBE生长金刚石(111)基材上ALN薄膜的质量和带偏移
机译:低能电子显微镜和扫描隧道显微镜研究锗在锗(111)和锗(110)上的生长以及锗(111),锗(110)和锗(001)上的银的生长
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:mgO(111)上极性FeO(111)薄膜的逐层外延生长
机译:bcc过渡金属薄膜和超晶格在mgO(111),(011)和(001)衬底上的外延生长
机译:利用nbN / MgO / NbN薄膜结构生产边缘几何形状超导隧道结的方法
机译:利用NbN / MgO / NbN薄膜结构的边缘几何结构超导隧道结
机译:物理气相沉积法在MGO(111)上直接生长石墨烯:界面化学和能带隙形成
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