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一种PHEMT噪声参量提取新方法的原理修正与完善

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修正了Jianjun Gao等人提出的PHEMT噪声参量提取原理[1]的部分内容,用链式噪声相关矩阵分析了源漏寄生电容C<,ds>对本征场效应管的四个噪声参数的影响,完整地给出了包含L<,s>、L<,g>、R<,d>、L<,d>、C<,pg>、C<,pd>、C<,pgd>的PHEMT的链式噪声相关矩阵,进一步完善了该噪声参量提取原理.

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来源
《中国电子学会微波学会第五届全国毫米波亚毫米波学术会议》|2004年|17-21|共5页
会议地点广西
作者
周正林; 王家波; 李建平; 许晓丽;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
噪声参数; 提取技术; 噪声模型; 源漏寄生电容; 场效应管;
入库时间 2022-08-17 11:02:56

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