硅基体离子注入氮、硼对c-BN膜制备的影响研究

摘要

本文探索研究了硅基体注入氮、硼元素对后续射频磁控溅射沉积制备c-BN薄膜的影响,试验结果表明:离子注氮能有效提高薄膜的立方相含量和少量降低内应力,并存在一个较佳注入剂量9.6×10<'17>ions/cm<'2>,此时薄膜的立方相含量相对较高;反冲注硼对薄膜的立方相含量提高不大,但明显降低了薄膜的内应力;硼、氮共注,既有利于薄膜立方相含量的提高,又有利于薄膜的内应力的降低;当注氮剂量9.6×10<'17>ions/cm<'2>时,薄膜中的立方相含量达到了最高;随着注氮剂量的增加,薄膜的内应力相对升高.