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Au-Si面垒探测器及其在鉴别带电粒子研究中的应用

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简要介绍了制作厚度为450μm,直径为φ8mm的Au-Si面垒探测器的主要工艺流程及该探测器的主要性能指标.同时具体介绍了通过调节探测器上的偏压,改变Au-Si面垒探测器灵敏区厚度,实现对不同能量、种类带电粒子的鉴别方法,并将该方法应用于鉴别D-D和D-T核反应中出射的带电粒子.

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来源
《第十二届全国核电子学与核探测技术学术年会》|2004年|242-244|共3页
会议地点昆明
作者
王柱生;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TL814.1;O572.212;
关键词
金硅面垒探测器; 能量分辨率; 带电粒子; 鉴别; 工艺流程; 性能指标;

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