短波长谐振腔发光二极管光谱研究

摘要

利用MOCVD 方法生长650 nm 发光波长的谐振腔发光二极管，利用光致发光谱和电致发光谱研究了其发光特性。由于上下布拉格发射镜的影响，导致其光致发光强度只有普通二极管的1/20；电致发光光谱纯度有了很大提高，半峰宽由普通二极管的20 纳米降到4 纳米以下。最好的器件测试结果表明可以在60mA，2.71V 下，实现1.45mW 以上发射功率。最窄半峰宽在3nm。