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刘剑; 杨宏顺; 朱莉; 曹烈兆;
中国物理学会;
科技部;
国家超导中心;
中科院物理所;
高温超导; 元素掺杂; 输运性质; 热电势;
机译:铜和磷掺杂的ZnSb的传输性质研究
机译:CD掺杂GDFE_2ZN_(20)单晶体中CD掺杂GDFE_2ZN_(20)单晶的非常规化致氧化物相互作用
机译:纯Nd2CuO4和电子掺杂Nd2CuO4局部电子和磁性的第一性原理研究
机译:Zn掺杂CuInSe / sub 2 /单晶的传输特性
机译:高转变温度超导钇钡(2)铜(3)氧(7-δ)单晶的电动力学性质研究。
机译:电子传输层的性质研究DFT的掺杂甲ami鎓碘化物钙钛矿中的元素
机译:三维Zn(ii)框架中的化学计量控制结构变化:单晶与单晶传输和选择性二氧化碳吸附
机译:单晶Cds和Zns晶体在晶体计数器中作为探测器的性质研究
机译:光电元件,其具有由单晶物质构成的p-或n-pin半导体层,其中zn,se,te,h的原子数为1-4,并且掺杂元素包含i半导体层,由单晶si(h,f)构成。
机译:具有P或N型半导体层的Pin结光伏元件,该P或N型半导体层包括含量为1-4原子%的Zn,Se,Te,H的非单晶材料,以及包含非单晶Si的掺杂和I型半导体层(H,F)材料
机译:光电元件,其具有由单晶物质构成的p-或n-pin半导体层,其中zn,se,te,h的原子含量为1-4原子%,并且掺杂元素包含i半导体层,由单晶si(h,f)构成。
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