正电子湮没技术在高分子薄膜研究中的应用

摘要

对于高分子薄膜来说,膜的微观缺陷(自由体积)尺寸大小对膜的各项性能(如分离膜的渗透性和选择性等)有重要的影响.用正电子湮没寿命谱(PALS)研究高分子材料的自由体积,与常规方法相比,它具有如下三个特点:1.原位探测,干扰小;2.对于原子尺度(0.1nm-1.5nm)的自由体积极其灵敏;3.无损检测.可以准确地探测聚合物薄膜微观缺陷(自由体积)尺寸、分数、浓度、深度分布等.常规的正电子湮没技术主要侧重于测定高分子薄膜本体的自由体积尺寸、浓度、玻璃化转变等基本物理性质,慢正电子湮没技术则主要用于研究高分子薄膜的表面和界面性质.正电子湮没技术是一种新型的原子尺度的高分子材料表征手段,该技术在高分子薄膜研究中的应用还刚刚起步,可以预见,它对从微观上研究各种高分子薄膜的微结构-性能关系、表面效应、界面效应等将发挥积极作用.