国外电子元器件抗辐射加固技术发展综述

摘要

国外在电子元器件抗辐射加固技术的研究的范围与深度不断扩大发展.公开发表的文章,虽然以研究空间辐射效应及加固技术为主,但有关剂量率瞬态效应的研究也不少.可以看出:国外CMOSIC的抗辐射加固技术已趋于成熟;CMOS/SOIIC抗瞬态辐射效应的加固技术不断深入;利用商用工艺线研究CMOSIC的加固技术已成为研究的重点;另外分立器件和线性电路的SEE效应、光电器件的辐射效应及加固技术、MEMS的辐射效应及加固技术、封装及材料的加固技术,还有辐照试验方法及评定等,都进行了大量的研究.