抗癌止痛肽对DRG神经元TTX-S钠离子通道的镇痛作用机制研究

摘要

目的:研究AGAP对TTX-S钠通道的影响.rn 方法:原代培养DRG神经元,使用NF200鼠单克隆抗体鉴定大直径DRG神经元;采用膜片钳技术研究AGAP对TTX-S钠通道电流及动力学特征的影响.rn 结果:AGAP在30nM和100nM时可以显著减少TTX-S钠电流,但是在300nM和1000nM时作用不明显.给药前最大电流密度值为168±22pA/pF(n=21),加入30nM和100nM AGAP后最大电流密度值分别为64±22pA/pF(n=5,P＜0.05)和43±13pA/pF(n=4,P＜0.05),抑制率分别为61.9％和74.4％.通道动力学研究表明,AGAP使TTX-S钠电流激活曲线向超极化方向显著性偏移,斜率也有显著性差异,给药前V1/2和Km分别为-37.08±0.40mV(n=12)和4.07±0.33(n=12),加入300nMAGAP后V1/2和Km分别为-55.18±1.86mV(n=7,P＜0.001)和2.99±1.04(n=7,P＜0.05).AGAP对TTX-S钠电流的失活曲线没有显著性影响,给药前Vh和κ值分别为-51.13±0.83mV(n=14)和7.19±0.71(n=14),加入300nMAGAP后Vh和κ值分别为-57.03±1.55mV(n=12,P＞0.05)和5.69±1.32(n=12,P＞0.05).AGAP使失活后恢复时间常数τ显著延长,给药前τ为3.12±0.43ms(n=19),加入300nM AGAP后,为10.91±1.97ms(n=9,P＜0.05).rn 结论:AGAP镇痛作用可能与其调节DRG神经元钠离子通道密切相关.