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姜伟; 唐俊峰;
中国电子学会;
薄膜电路; 混合集成; 薄膜电阻; 磁控溅射;
机译:使用$ hbox {CrB} _ {2} $ – Si–SiC材料通过射频磁控溅射法生长的高电阻薄膜电阻器
机译:使用气流溅射法制备的ZrO_2膜作为缓冲层的NiCr薄膜电阻的电阻温度系数
机译:TaN电阻薄膜与电极的溅射法接触电阻
机译:先进的GaAs-MMIC工艺技术,采用高介电常数薄膜电容器,通过低温RF溅射法
机译:溅射法制备CZTS太阳能电池循环弯曲过程中测量ITO薄膜电阻变化的实验技术使用板级跌落试验研究晶圆级芯片规模封装的可靠性。
机译:电阻开关器件中金属氧化物的薄膜沉积:锰矿薄膜中电阻开关的电极材料依赖性
机译:磁控溅射法在pET基底上低温沉积ITO薄膜的微结构和电阻率
机译:采用射频溅射法制备高性能镉铟透明导电薄膜
机译:带有CRSI电阻薄膜的电阻器件
机译:薄膜CrSi.sub.2和SiC电阻器的离子注入
机译:用集体溅射法制备低电阻Ag薄膜的方法和装置
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