首页> 中文会议>2005年中国科协学术年会第八分会场——光固化与数字成像技术及其应用 >稀磁半导体(Ga,Cr)N的第一性原理研究

稀磁半导体(Ga,Cr)N的第一性原理研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文应用原子团模型对((Ga, Cr) N晶体进行了模拟,用第一性原理方法计算它的电子结构和磁性,并将计算结果与实验进行了比较.除了与实验比较,我们还与能带计算方法的结果进行了比较.文章第一部分介绍计算方法,第二部分是结果的分析和讨论,第三部分是对全文的总结.

著录项

来源
《2005年中国科协学术年会第八分会场——光固化与数字成像技术及其应用》|2005年|150-154|共5页
会议地点乌鲁木齐
作者
蔺何; 段海明;
展开▼
作者单位

中国感光学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
计算物理学; 稀磁半导体; 密度泛函理论; 原子团模型;
入库时间 2022-08-17 10:46:28

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Mn掺杂GaAs稀磁半导体的第一性原理研究 [J] . 张云丽 ,杨建国 ,朱自强 . 周口师范学院学报 . 2015,第002期
2. 稀磁半导体(Ga1-xFex)As的电子结构,磁性及其稳定性的第一性原理研究 [J] . 闫玉丽 ,赵文杰 ,杨致 . 原子与分子物理学报 . 2007,第004期
3. Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究 [J] . 张云丽 ,朱自强 ,李晓川 . 浙江大学学报（理学版） . 2018,第004期
4. Pd基Heusler合金Pd2CrGa和Pd2FeGa的第一性原理研究 [J] . 刘国平 ,米传同 ,钱帅 . 中国有色金属学报 . 2014,第004期
5. Ga1–xCrxSb(x=0.25,0.50,0.75)磁学和光学性质的第一性原理研究 [J] . 王闯 ,赵永红 ,刘永 . 物理学报 . 2019,第017期
6. 稀磁半导体(Ga,Cr)N的第一性原理研究 [C] . 蔺何 ,段海明 . 中国科协2005年学术年会 . 2005
7. 稀磁半导体隧道结GaN:Mn/AIN/GaN:Mn电导的第一性原理研究 [A] . 陈广伟 . 2012

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号