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高性能(Na0.52K0.48-x)(Nb1-x-yTayO3)-xLiSbO3无铅压电陶瓷

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采用传统电子陶瓷工艺制备了无铅压电陶瓷(Na0.52K0.48-x)(Nb1-x-yTayO3)xLiSbO3.实验结果表明,LiSbO3与Ta5+的引入提高了陶瓷的压电性能,在一定配比范围内,材料为正交、四方相共存的钙钛矿结构,在此范围内材料的压电常数d33在288-308 pC/N,机电耦合系数kp、kt分别达到51％、47％.介电损耗tg为2.0％,居里温度在310-365 ℃之间.

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来源
《中国电子学会第十四届电子元件学术年会》|2006年|401-403|共3页
会议地点西宁
作者
明保全; 王矜奉; 亓鹏;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类强性介质和压电介质;
关键词
无铅压电陶瓷; 铌酸盐; 机电耦合系数; 居里温度;

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