不同的制备方法对ZnO-TTFT光学特性的影响

摘要

本论文主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO-TTFT(ZnO基薄膜晶体管)器件,并通过XRD和透射光谱来对两种不同制备方法下样品的性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TTFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,制得器件的有源层有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85％以上.并研究了退火处理对器件性能的影响,并发现快速热退火有利于改善薄膜的晶化,降低缺陷态密度,提高器件的透光性.