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徐征; 许洪华; 陈跃宁; 黄金昭; 袁广才; 孙小斌;
中国电子学会;
中国物理学会;
薄膜晶体管; ZnO薄膜; 迁移率;
机译:ZnO多晶薄膜中陷阱深度对ZnO-TFTs性能的影响
机译:沟道厚度对溶胶凝胶法制备ZnO-TFT场效应迁移率的影响
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机译:葫芦素B和D的总合成研究进展及阿格莱辛A的总合成研究进展
机译:治疗酶及其衍生物的研究进展:基于类风湿性关节炎中草药的研究进展
机译:以二氧化硅和氮化物为栅极绝缘体的ZnO-TFT的性能和稳定性的比较。
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机译:纤维素材料对染料的枯竭,迁移,吸附和固定的研究进展
机译:船体提升,效率提高,降低驼峰阻力并提高稳定性的研究进展
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