掺杂氧化钇的ZnO非线性电阻片电性能和微观结构特征

摘要

本文研究了含不同氧化钇量ZnO 压敏电阻片的电位梯度,方波容量,和U5kA/U1mA 压比等电气性能.随着氧化钇含量的增加,电位梯度持续增加(最高达到367v/mm),当氧化钇的含量为0.3-0.7mol％时,压比,方波容量性能最好(分别为1.65 和246J/cm3).同时分析了上述电性能特征形成在微观结构上的原因.通过能谱分析,X射线衍射分析确定了含钇晶间相的成分范围和主晶相化学组成比(Y1.5Sb0.5O3.5).