贯通导线对屏蔽箱体内电磁环境影响的仿真研究

摘要

应用时域有限差分(FDTD)法对有、无贯通导线及不同长度的贯通导线穿过屏蔽箱体时,箱体中点处的电场及箱体内印刷电路上的耦合电流进行了数值仿真.结果表明,贯通导线通过与屏蔽机箱外的干扰电磁场相耦合,可使耦合进箱体内部的干扰电磁场大为增加,箱体内电路上的耦合电流也会显著增强,低频干扰电磁场以及干扰电磁场的低频分量更容易经贯通导线耦合进屏蔽箱体内.这些工作可为电子系统和信息设备的电磁兼容、抗电磁干扰及防护提供相应的理论指导及数值依据.