二元氮化物的普适性合成方法及X射线衍射研究

摘要

氮化物是在工业上具有广泛用途的一大类材料,其中Ⅲ-V族氮化物AlN具有低热膨胀系数(4.3×10-6K-1)、高热导率(320Wm1K-1)、宽带隙(6.2eV)、高电阻(>1011 m)、低介电常数(8.6)等诸多优点,作为衬底材料和包装材料广泛应用于电子电路、紫外光电探测器、压力探测、热辐射探测、场效应晶体管等领域,在军事和民用方面都具有广泛的应用.本文主要就二元氮化物的普适性合成方法及X射线衍射技术进行了论述.