GalnAsP/InP跑道型环行谐振腔的制备

摘要

采用等离子增强型化学汽相沉积和电子束刻蚀相结合方法制备了直径为1~20μm的GaInAsP/InP跑道型环形谐振腔,采用扫面电镜等方法对其进行研究。结果表明:直径为4.5μm、跑道长度为5μm,直径为10.5μm、跑道长度为5μm和直径为19.5μm、跑道长度为3μm的环形谐振腔的自由频谱范围分别为28nm、16nm和9.5nm;随着环形直径的增加,其自由频谱范围减小;在相同的直径下,随着跑道的长度增加,自由频谱范围减小。